该展示成果为基于第三代半导体技术所设计与制备的日盲紫外探测器结构。该器件设计原理是利用金属半导体接触形成的电场，将光生电子从光吸收层推入到二维电子气沟道中，从而实现载流子的高速传输。此外，在无光照条件下，还可以利用金属栅极形成的耗尽区将二维电子气沟道“夹断”，大幅度地抑制暗电流的产生。该成果有效地提升了日盲紫外探测器的光暗电流比和响应速度，可以广泛的应用于臭氧检测、火焰检测、导弹预警和公共卫生等领域。